2018年7月9号参加了在北京举办的第一届亚太碳化硅及相关材料会议，本次会议由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中科院物理所和北京硅酸盐学会发起并主办第一届亚太碳化硅及相关材料国际会议,此次会议主要围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流。

本次会议涉及的报告内容较多、领域较广，为了掌握本专业的知识，同时了解客户端的需要有针对地聆听以下主要报告:

1、宽禁带碳化硅半导体晶体研究及产业化------陈小龙

2、SiC器件在轨道交通中的应用前景------刘国友

3、X射线在碳化硅晶体检测中的实际应用------甄 伟

4、4H-SiC中三角形缺陷结构及成因研究进展-----孙国胜

5、4H-SiC功率DMOSFETS的进展------柏松

6、降低4H-SiC外延层中的形态缺陷-------李忠辉

7、SiC器件在未来电网中的应用--------邱宇峰

8、SiC电力半导体器件在电动汽车上的应用-------滨田公守

主要获得的信息如下:

1、通过做大会报告，收到强烈的互动，与会代表感受了我们在碳化硅材料研制方面的成绩，特别在碳化硅单晶设备和高纯衬底方面的杰出成就。当我们的6英寸高纯半绝缘衬底呈现在参会代表面前时，专家们都赞不绝口，大家一致认为该产品在国内首屈一指。

2、目前，国内想做碳化硅的公司继续呈增长态势，新增主要包括广州半导体材料研究所3台设备；武汉大学高冰教授购买了天科合达1台设备，设备是玻璃管式炉，正在购置籽晶准备生长；北京人工晶体研究院也准备购买10台设备开始碳化硅；大革（和中钢研是联系在一起的）已经联系到投资人孙总准备投资碳化硅材料；天津理工大学的胡章贵老师也准备做碳化硅，还有一些没有浮出水面的在观望中。

3、碳化硅衬底上的基平面位错、螺位错和刃位错在本次会议上被多次提及，尤其是做碳化硅外延的研究者。有些研究者在研究外延层中的三角形缺陷/胡萝卜缺陷等时发现，很多此类缺陷来自于碳化硅衬底上的基平面位错或者螺位错。这种继承特性就要求我们作为衬底生产商必须降低缺陷密度。目前我们生产过程中对于位错和层错的关注仍然很少。长远来看,除了较大的缺陷，比如空洞/微管/碳包裹体等，我们还应该关注其他缺陷，并通过优化生长工艺，不断降低晶体中的缺陷密度。惟有不断地提高技术水平，才能保证我们在整个竞争市场中处于相对优越的地位。

4、在高纯衬底方面，联系到韩国客户Hi SOALR公司徐秀丽，日本tanaka makoto 曾经给天岳做过代理；国内客户都交换名片初步形成采购意向，主要有上海圣戈班的钟总等。

5、另外在宣传公司生产碳化硅衬底能力方面时，特别提到测试方面的设备，由研究所和高校的老师对测试感兴趣，今后加大在测试方面的业务，目前已经与苏州纳米所签订测试合同。

6、目前在N型衬底方面主要是天科合达已经与泰科天润、天域、瀚天、55所国盛、13所和三安等公司形成销售网络，值得关注的是本次大会没有见到天岳公司的人员参会。